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▲ Silicon Growing Poly Silicon Qtz Crucible Hot zone Si Single Crystal Ingot Silicon Single Crystal Ingot Growing 실리콘 단결정 잉곳을 만들기 위해서는 고순도 전자급 폴리실리콘(High purity Poly silicon for Electric grade)과 고순도 석영도가니(High purity Quartz Crucible), Hot Zone용 부품(Graphite와 Carbon-Carbon복합재료)이 필요합니다. Poly Silicon 규소는 지각에 두 번째로 풍부한 원소로 반도체 성질 및 고온 용융 상태의 비교적 큰 화학 활성화를 갖추고 있어 가장 널리 응용되는 반도체 재료입니다. 폴리실리콘은 단결정 실리콘 생산의 직접적인 원료이며, 현대 인공 지능, 자동 제어, 정보 처리 및 광전 변환과 같은 반도체 장치의 기본 재료입니다. 개량된 지멘스법은 트리클로로실란(trichlorosilane, TCS)를 주원료로 하여 정류공정을 통한 화학정제를 통해 생산된 고순도 TCS가 CVD 환원로 내의 고온 고압환경에서 반응하여 다결정 실리콘 막대로 증착, 성장 하 게 됩니다. 전공정 자동화로된 클린룸에서 파쇄, 분류, 산세척, 건조 및 포장하여 최종 출하 검사를 완료 한 후 운송합니다. [제품군] 순도(Grade) 표면처리 크기 포장규격 Poly Silicon 3 3 Poly Silicon 4 8 Poly Silicon 1 10 Poly Silicon 5 15 Poly Silicon 2 5 P AE #1 (2 ~ 6㎜>) 5kg/bag G CH #2 (6 ~ 45㎜) 10kg/bag S #3 (45~100㎜) N #4 (20 ~70㎜) #5 (30 ~ 100㎜) [​제 품] Semi grade PV grade Powder Quartz Crucible 석영 도가니 제품은 주로 태양광 및 반도체 분야에서 사용된다. 고온 조건에서 결정화를 지원할 수 있으며, 다결정 실리콘 원료를 담는데 사용됩니다. 단결정 성장 시스템의 핵심 부자재 중 하나입니다. 석영 도가니는 500시간 이상 연속적으로 실리콘 결정을 성장할 수 있으며, 주요 제품인 32인치 및 36인치 석영 도가니의 수명은 600시간을 초과하고 있다. 또한, 도가니 공정을 개선하여 동일한 배치의 도가니 간의 차이를 줄였으며, 석영 모래의 순도를 높이고, 용융 도가니 및 세척 과정에서 불순물의 유입을 줄여 석영 도가니의 품질을 향상시켰습니다. Hot zone용 부품 소재 Graphite와 Carbon-Carbon복합재료 Si Ingot을 성장하기 위해서는 Puller라는 설비가 필요합니다. Puller는 고온 조건에서 안정적인 생산을 위한 Hot Zone (Graphite 또는 Carbon-Carbon복합재료)부품과 그 안에 주원료 폴리실리콘(Poly Silicon)을 담은 석영도가니 (Quartz Crucible) 등으로 구성되어 있습니다. 우리는 고순도 흑연제품과 탄소탄소복합재료로 만든 최대 42“ Hot zone부품을 국내에 공급하고 있습니다. 특수흑연재료 Special Graphite Materials 반도체 산업분야, 친환경에 요구되는 태양전지 및 폴리실리콘, 실리콘 단결정 제조 분야, 높은 기계적 가공성과 정밀도를 요구하는 금형분야 등 다양한 산업분야에서 활용이 가능한 등방성 흑연소재입니다. 균일한 미립자 구조와 안정적인 성능을 보장하는 등정압 프레스 기술로 제조되어 각 산업계에서 요구하는 사항을 충족합니다. 특수 흑연 재료는 등방성, 높은 신뢰성, 초내열성, 화학 부식에 대한 우수한 내성 및 가공이 용이하여 태양광, 반도체, LED, 야금 및 항공 산업 등에서 널리 사용됩니다. 반도체 제조에 사용되는 흑연 부품(실리콘 반도체, 실리콘 카바이드 반도체 등)의 경우, 높은 순도가 핵심 요건이며, 불순물 함량은 100만분의 5 이하로 유지되어야 합니다. CC & CC/C (Carbon-Carbon복합재료) C/C 복합체(Carbon-Carbon)는 화학 가스 / 액체 증착 / 침투에 의해 밀도가 높아지고, 고온에서 흑연화되는 고강도 탄소 섬유로 제조됩니다. C/C 복합 재료는 높은 기계적 강도, 높은 탄성, 높은 인성, 초내열성, 가볍고 다루기 쉬운 특징을 가지고 있으며, 태양광, 산업용 고로 산업, 자동차, 항공우주 등에서 널리 사용되고 있습니다. 열분해 탄소 코팅(PYC)은 특수 화학 증착 공정으로, 이 과정에서 고순도 특수 흑연 제품의 표면이 조밀한 탄소 피막으로 코팅됩니다. [제품군] 규격 : 고객의 요구에 따라 다름 사각형 블럭 : 2,150mm x 1,290mm x 500mmH 원령 블록 : 외경 1,440mm x 1,200mmH 고순도 : 20ppm/30ppm Block material (5ppm purified graphite parts) Grower size : 18” ~ 42” Si Single Crystal Ingot 반도체 식각공정(Dry Etching)은 크게 Oxide, Poly 그리고 Metal Dry Etching 공정으로 구분됩니다. 특히 Oxide Dry Etcher에는 실리콘소재로 만든 부품(Plate & Ring)이 많이 사용됩니다. 소재는 주로 실리콘 단결정잉곳을 사용하고 있지만, 부분적으로 주상정 잉곳도 사용하고 있다. 우리는 이 부품을 만들기 위한 원재료 (Single Crystal Ingot)을 국내 주요 실리콘 부품제조 업체에 공급하고 있습니다. [제품군] 비저항(Resistivity) 외경(Dismater) 형상(Type) Spec White Si Single Crystal Ingot 150 false Black Si Single Crystal Ingot 100 true Green Si Single Crystal Ingot 300 true Red Si Single Crystal Ingot 200 true Blue Si Single Crystal Ingot 250 false High Res. (60 ~ 90 Ohm,cm) 양산 : 최대 475mm Ingot Block Dopant : P type Middle Res. (1 ~ 5 Ohm,cm) 개발 : 최대 585mm Plate / Ring Orientation : <100>, <111> Low Res. (< 0.02 Ohm,cm) Slip : Free

ABOUT US 우리는 반도체 제조에 필요한 실리콘 관련 원재료부터 부품소재 그리고 제조관련 장비를 공급하고 있습니다. TRULY 반도체 제조공정에 사용하는 주요 원재료 및 소재를 공급하고 있습니다. 반도체 제조 공정 중 하나인 식각공정(Dry Etching)은 가장 중요한 핵심공정입니다. 이 공정에는 퀄츠와 세라믹, 실리콘소재로 만든 부품이 사용됩니다. 특히 실리콘 소재에 대한 일괄공급체제 (Total Solution Provider)를 갖추고 있습니다. 단결정 잉곳 (Silicon Single Crystal Ingot) 폴리실리콘 (Poly Silicon) 실리콘 파우더 (Si / SiC powder) 석영도가니 (Quartz Crucible) Hot zone (Graphite와 Carbon-Carbon복합재료) 실리콘 반도체용 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 (Si Wafer) + Epi 공정 실리콘카바이드 웨이퍼 (SiC Wafer) + Epi 공정 웨이퍼 표면검사장비 ​ (Si & SiC Wafer Vision Inspection Tool)

BUSINESS HISTORY Business Expansion planning TRULY HQ & Plant Construction TRULY Changed to Corporation 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2012 2024 TOTAL SOLUTION PROVIDER Growing Parts Biz • Hot zone & Graphite • Crucible & Hopper Tube Si Wafer Biz (12”) SiC Wafer Biz (4” ~ 8”) (Exclusive agent of SGRS) Wafer Inspection Tool (Agent of COMIZOA) Poly Si biz Agent of Xinhua (GCL) Single Crystal Ingot Biz (Exclusive agent of GRITEK) R&D Center Registration New Office Global Sales Network Europe & USA Taiwan & Japan Get in Touch 123-456-7890 info@mysite.com

우리는 반도체 제조에 필요한 실리콘 웨이퍼와 검사장비, 그리고 건식 식각공정에 사용되는 실리콘 부품용 원자재를 공급하고 있습니다. 반도체 제조용 실리콘 관련 산업의 “ Total Solution Provide r ” 가 되겠습니다.

Total Solution Provider Si & SiC Wafer Wafer Inspection Tool Single Crystal Ingot Hot zone & Crucible Poly Si & Graphite 01 Single Crystal ingot Oxide, Poly, Metal 등 건식 식각공정은 반도체를 제조하는 수 많은 공정 중 가장 중요한 공정이다. 특히 Oxide Etcher에는 실리콘 부품을 많이 사용한다. 우리는 이 소모품을 제조하기 위해 원재료인 단결정 잉곳(Single Crystal Ingot)을 공급합니다. 02 Growing process parts 단결정 잉곳을 성장하는 장비(Puller)에 사용되는 Poly Silicon, Hot zone과 원재료인 Graphite, 단열재, 석영도가니, 석영 튜브 등 잉곳을 성장하는 데 필요한 원부자재를 공급합니다. 03 Si / SiC Wafer 반도체용 Si 및 SiC 웨이퍼를 공급하고 있으며, 고객의 요청에 따라 300mm Si 웨이퍼 재생(Si Wafer Recycle) 서비스를 제공하고 있습니다. 04 Wafer inspection tool Si 및 SiC 웨이퍼 제조에 필요한 비전검사 장비(Vision Inspection Tool)을 공급하고 있습니다. 이 장비는 웨이퍼 표면과 엣지(Bevel Edge) 그리고 뒷면(Back side)을 검사할 수 있습니다.

Our Services Silicon Single Crystal Ingot Growing Poly Silicon Qtz Crucible Hot zone Si Single Crystal Ingot Wafer 300mm Si Wafer / Epi SiC Wafer / Epi Equipment - Wafer Inspection tool Surface Edge Edge & Surface Eco Plastic

찾아오시는 길 찾아오시는 길 충청남도 천안시 서북구 2공단4로 40-11, 1345호(성성동) E-MAIL. jyshin@truly.co.kr │ TEL. (+82) 041.906.8879 신지영

QUARTZ Ingot Silicon Parts Polysilicon Wafers Quartz Metal Elements Gas Quartz Rings Focus ring Cover ring Shadow ring Shield ring Pedestal ring Confiment ring Edge ring & WAP ring Top & Bottom ring ​ Clear Quartz Ingot Applications: Semiconduct Window LED Characteristics: Temperature stability, Heat shock resistance, Low thermal expansion, Corrosion resistant Clear Quartz Plate Applications: Semiconduct Window LED Characteristics: Temperature stability, Heat shock resistance, Low thermal expansion, Corrosion resistant Clear Quartz Rod Applications: Semiconduct Optical Fiber Solar Characteristics: Temperature stability, Heat shock resistance, Low thermal expansion, Corrosion resistant Clear Quartz Tube Applications: Process chambers, tubes and parts for semiconductor, photovoltaic and industrial applications Characteristics: High purity, temperature stability,corrosion resistant, transparent Opaque Quartz Ingot Applications: Sinter , Electrical heater , Solar , Heat Insulation Characteristics: High puirty , Thermal Stability , Erosion Resistance , Insulativity Opaque Quartz Plate Applications: Electrical heater , Solar , Heat Insulation and other industry use Characteristics: High puirty , Thermal Stability , Erosion Resistance , Insulativity Opaque Quartz Tube Applications: Sinter , Electrical heater , Solar , Heat Insulation Characteristics: High puirty , Thermal Stability , Erosion Resistance , Insulativity

Si Ingot INGOT PRODUCT Silicon Singlecrystal ingot ​ ​ OFFERINGS CZ Silicon Single Crystal Ingot: Max 450mm in diameter Block type of ingot available on request ​ ​ ​ ​ ​ ​ ​ SPECIFICATIONS QUALITY MONITORING

Graphite Hot Zone Parts Graphite Block / Materials Si_SiC Wafer 637735376849113996 Wafer2 Si_SiC Wafer 1/4 Hot Zone Parts 실리콘 잉곳을 성장하는 장비 (Puller)는 고온으로 폴리실리콘을 용융시켜 금속결정화를 합니다. 이때 장비 내부에는 고온작업이 용이하도록 Hot zone, 단열재 등 고순화처리된 흑연부품이 장착되어 있습니다. Hot Zone은 주로 보온통, 히터, 도가니, 컨덕터 및 기타 흑연 제품과 보온재(경화 펠트, 흑연 소프트 펠트) 등으로 구성되어 있습니다. 이런 그라파이트 제품은 태양열 단일 다결정 Hot zone, 반도체 Hot zone, 흑연 금형 및 기타 산업에서 널리 사용되고 있습니다. 최근 그라파이트에서 탄소 및 탄소 복합 재료 등으로 이동하는 추세입니다. 흑연정제, 탄소 복합재료, 및 흑연 표면에 열분해 탄소 코팅하는 기술 공정 라인을 개발하여 제품의 순도 및 수명을 크게 향상시키고 제품의 사용 내구성 환경을 변화시킵니다. Title Subtitle Item Page Text • High Res. 60 ~ 90 Ohm,cm • Standard 285 ~ 385mm • Ingot • Middle Res. 1~5 Ohm,cm • Large 400 ~ 475mm • Ring / Plate • Low Res. < 0.02 Ohm,cm • Super large > 500mm • Cylinder Graphite Block & Materials 특수 흑연 재료 제품 특수 흑연 재료, 즉 등압 흑연 재료는 균일한 미세 입자 구조와 안정적인 성능을 가지고 있어 산업계의 요구 사항을 충족합니다. 특수 흑연 재료는 주로 등방성, 고신뢰성, 초내열성, 우수한 내화학 부식성, 가공이 용이하여 태양광 산업, 반도체 산업, LED 산업, 야금 산업, 항공 우주 및 기타 산업에서 널리 사용됩니다. Grade Donor (ppta) Acceptor (ppta) Carbon (ppma) Total Bulk Metal Total Bulk Metal Semi & Si Parts < 150 < 50 < 0.080 < 1,500 < 1,500 Solar < 300 < 100 < 0.100 < 1,500 < 1,500

WAFER ​내용필요내용필요 300mm Si Wafer / Epi ​내용필요내용필요 ▲ Wafer 300mm Si Wafer / Epi Sic Wafer / Epi Sic Wafer / Epi 내용필요내용필요

페이지 상단 앵커 1 앵커 2 실리콘 잉곳 사업부 Single Crystal Ingot Si Plate & Ring Poly Silicon Silicon Single Crystal Ingot 반도체 제조 공정 중 Dry Etching은 가장 중요한 공정중 하나입니다. 건식공정은 크게 Oxide Etcher, Poly Etcher, Metal Etcher가 있습니다. 이중 Oxide Etcher에는 단결정 또는 다결정 실리콘소재로 만든 소모성 부품(Cathode & Ring)이 많이 사용됩니다. 우리는 이것을 만들기 위한 단결정 잉곳 (Single Crystal Ingot)을 공급하고 있습니다. Resistivity Outer Diameter Product type • High Res. 60 ~ 90 Ohm,cm • Standard 285 ~ 385mm • Ingot • Middle Res. 1~5 Ohm,cm • Large 400 ~ 475mm • Ring / Plate • Low Res. < 0.02 Ohm,cm • Super large > 500mm • Cylinder Poly Si 폴리실리콘(Poly Si)은 반도체용 웨이퍼 또는 실리콘 부품제조에 필요한 실리콘 단결정 잉곳을 성장하는 원재료이다. 폴리 실리콘은 크게 태양광용과 반도체용으로 구분된다. ​우리는 반도체용 등급을 국내 시장에 공급하고 있다. Grade Donor (ppta) Acceptor (ppta) Carbon (ppma) Total Bulk Metal Total Bulk Metal Semi & Si Parts < 150 < 50 < 0.080 < 1,500 < 1,500 Solar < 300 < 100 < 0.100 < 1,500 < 1,500 Size Number #1 #2 #3 #4 #5 Size / mm 2 ~ 6 6 ~ 45 45 ~ 100 30 ~ 100 30 ~ 100 앵커 1 앵커 2