Silicon Single Crystal Ingot Growing
실리콘 단결정 잉곳을 만들기 위해서는 고순도 전자급 폴리실리콘(High purity Poly silicon for Electric grade)과 고순도 석영도가니(High purity Quartz Crucible), Hot Zone용 부품(Graphite와 Carbon-Carbon복합재료)이 필요합니다.
Poly Silicon
규소는 지각에 두 번째로 풍부한 원소로 반도체 성질 및 고온 용융 상태의 비교적 큰 화학 활성화를 갖추고 있어 가장 널리 응용되는 반도체 재료입니다. 폴리실리콘은 단결정 실리콘 생산의 직접적인 원료이며, 현대 인공 지능, 자동 제어, 정보 처리 및 광전 변환과 같은 반도체 장치의 기본 재료입니다. 개량된 지멘스법은 트리클로로실란(trichlorosilane, TCS)를 주원료로 하여 정류공정을 통한 화학정제를 통해 생산된 고순도 TCS가 CVD 환원로 내의 고온 고압환경에서 반응하여 다결정 실리콘 막대로 증착, 성장 하게 됩니다. 전공정 자동화로된 클린룸에서 파쇄, 분류, 산세척, 건조 및 포장하여 최종 출하 검사를 완료
한 후 운송합니다.
[제품군]
순도(Grade) | 표면처리 | 크기 | 포장규격 |
|---|---|---|---|
Poly Silicon 3 | 3 | ||
Poly Silicon 4 | 8 | ||
Poly Silicon 1 | 10 | ||
Poly Silicon 5 | 15 | ||
Poly Silicon 2 | 5 | ||
P | AE | #1 (2 ~ 6㎜>) | 5kg/bag |
G | CH | #2 (6 ~ 45㎜) | 10kg/bag |
S | #3 (45~100㎜) | ||
N | #4 (20 ~70㎜) | ||
#5 (30 ~ 100㎜) |
[제 품]
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Semi grade
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PV grade
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Powder
Quartz Crucible
석영 도가니 제품은 주로 태양광 및 반도체 분야에서 사용된다. 고온 조건에서 결정화를 지원할 수 있으며, 다결정 실리콘 원료를 담는데 사용됩니다. 단결정 성장 시스템의 핵심 부자재 중 하나입니다. 석영 도가니는 500시간 이상 연속적으로 실리콘 결정을 성장할 수 있으며, 주요 제품인 32인치 및 36인치 석영 도가니의 수명은 600시간을 초과하고 있다. 또한, 도가니 공정을 개선하여 동일한 배치의 도가니 간의 차이를 줄였으며, 석영 모래의 순도를 높이고, 용융 도가니 및 세척 과정에서 불순물의 유입을 줄여 석영 도가니의 품질을 향상시켰습니다.
Hot zone용 부품 소재
Graphite와 Carbon-Carbon복합재료
Si Ingot을 성장하기 위해서는 Puller라는 설비가 필요합니다. Puller는 고온 조건에서 안정적인 생산을 위한 Hot Zone (Graphite 또는 Carbon-Carbon복합재료)부품과 그 안에 주원료 폴리실리콘(Poly Silicon)을 담은 석영도가니 (Quartz Crucible) 등으로 구성되어 있습니다. 우리는 고순도 흑연제품과 탄소탄소복합재료로 만든 최대 42“ Hot zone부품을 국내에 공급하고 있습니다.
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특수흑연재료
Special Graphite Materials
반도체 산업분야, 친환경에 요구되는 태양전지 및 폴리실리콘, 실리콘 단결정 제조 분야, 높은 기계적 가공성과 정밀도를 요구하는 금형분야 등 다양한 산업분야에서 활용이 가능한 등방성 흑연소재입니다.
균일한 미립자 구조와 안정적인 성능을 보장하는 등정압 프레스 기술로 제조되어 각 산업계에서 요구하는 사항을 충족합니다. 특수 흑연 재료는 등방성, 높은 신뢰성, 초내열성, 화학 부식에 대한 우수한 내성 및 가공이 용이하여 태양광, 반도체, LED, 야금 및 항공 산업 등에서 널리 사용됩니다.
반도체 제조에 사용되는 흑연 부품(실리콘 반도체, 실리콘 카바이드 반도체 등)의 경우, 높은 순도가 핵심 요건이며, 불순물 함량은 100만분의 5 이하로 유지되어야 합니다.
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CC & CC/C (Carbon-Carbon복합재료)
C/C 복합체(Carbon-Carbon)는 화학 가스 / 액체 증착 / 침투에 의해 밀도가 높아지고, 고온에서 흑연화되는 고강도 탄소 섬유로 제조됩니다. C/C 복합 재료는 높은 기계적 강도, 높은 탄성, 높은 인성, 초내열성, 가볍고 다루기 쉬운 특징을 가지고 있으며, 태양광, 산업용 고로 산업, 자동차, 항공우주 등에서 널리 사용되고 있습니다.
열분해 탄소 코팅(PYC)은 특수 화학 증착 공정으로, 이 과정에서 고순도 특수 흑연 제품의 표면이 조밀한 탄소 피막으로 코팅됩니다.
[제품군]
규격 : 고객의 요구에 따라 다름
사각형 블럭 : 2,150mm x 1,290mm x 500mmH
원령 블록 : 외경 1,440mm x 1,200mmH
고순도 : 20ppm/30ppm Block material
(5ppm purified graphite parts)
Grower size : 18” ~ 42”
Si Single Crystal Ingot
반도체 식각공정(Dry Etching)은 크게 Oxide, Poly 그리고 Metal Dry Etching 공정으로 구분됩니다. 특히 Oxide Dry Etcher에는 실리콘소재로 만든 부품(Plate & Ring)이 많이 사용됩니다. 소재는 주로 실리콘 단결정잉곳을 사용하고 있지만, 부분적으로 주상정 잉곳도 사용하고 있다. 우리는 이 부품을 만들기 위한 원재료 (Single Crystal Ingot)을 국내 주요 실리콘 부품제조 업체에 공급하고 있습니다.
[제품군]
비저항(Resistivity) | 외경(Dismater) | 형상(Type) | Spec |
|---|---|---|---|
White Si Single Crystal Ingot | 150 | false | |
Black Si Single Crystal Ingot | 100 | true | |
Green Si Single Crystal Ingot | 300 | true | |
Red Si Single Crystal Ingot | 200 | true | |
Blue Si Single Crystal Ingot | 250 | false | |
High Res.
(60 ~ 90 Ohm,cm) | 양산 : 최대 475mm | Ingot Block | Dopant : P type |
Middle Res.
(1 ~ 5 Ohm,cm) | 개발 : 최대 585mm | Plate / Ring | Orientation : <100>, <111> |
Low Res.
(< 0.02 Ohm,cm)
| Slip : Free |